型号:  ZXMC4559DN8TA

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  500

FET 型 ：  N and P-Channel

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.6A, 2.6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  55 mOhm @ 4.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  20.4nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1063pF @ 30V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SOIC

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  4.7@N Channel|3.5@P Channel A

RDS -于：  55@10V@N Channel|85@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  3.5 ns

典型上升时间：  4.1 ns

典型关闭延迟时间：  26.2@N Channel|35@P Channel ns

典型下降时间：  10.6@N Channel|10@P Channel ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  2100

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  55@10V@N Channel|85@10V@P Channel

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOIC

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.5(Max)

最大连续漏极电流：  4.7@N Channel|3.5@P Channel

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

P（ TOT ）：  1.25W

匹配代码：  ZXMC4559DN8TA

LogicLevel：  YES

单位包：  500

标准的提前期：  10 weeks

最小起订量：  500

Q（克）：  11nC

LLRDS （上）：  0.075Ohm

汽车：  NO

LLRDS （上）在：  4.5V

我（D ）：  4.7A

V（ DS ）：  60V

技术：  TrenchFET

的RDS（on ） at10V：  0.055Ohm

无铅Defin：  RoHS-conform

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.6A, 2.6A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

其他名称：  ZXMC4559DN8TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  55 mOhm @ 4.5A, 10V

FET型：  N and P-Channel

功率 - 最大：  1.25W

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1063pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  20.4nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N and P-Channel

配置：  Dual Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  4.7 A, - 3.5 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  75 mOhms

功率耗散：  2.1 W

最低工作温度：  - 55 C