型号:  ZXMD63N03XTA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 8-Pin MSOP T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  135 mOhm @ 1.7A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  8nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  290pF @ 25V

功率 - 最大：  870mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

供应商器件封装：  8-MSOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8MSOP

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  2.3 A

RDS -于：  135@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  2.5 ns

典型上升时间：  4.1 ns

典型关闭延迟时间：  9.6 ns

典型下降时间：  4.4 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  3.1(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  1250

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  135@10V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  MSOP

标准包装名称：  MSOP

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3.1(Max)

引脚数：  8

包装高度：  0.95(Max)

最大连续漏极电流：  2.3

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

单位包：  1000

最小起订量：  1000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.3A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-MSOP

其他名称：  ZXMD63N03XTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  135 mOhm @ 1.7A, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  870mW

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  290pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  8nC @ 10V

封装/外壳：  8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Dual Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  2.3 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  135 mOhms

功率耗散：  0.87 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  MSOP-8

上升时间：  4.1 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  4.1 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.135 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  MSOP

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military