型号:  ZXMN0545G4TA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  450V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  140mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  50 Ohm @ 100mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  70pF @ 25V

功率 - 最大：  2W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SOT-223

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-223

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  450 V

最大连续漏极电流：  0.14 A

RDS -于：  50000@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  7(Max) ns

典型关闭延迟时间：  16(Max) ns

典型下降时间：  10(Max) ns

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

引脚数：  4

欧盟RoHS指令：  Compliant

包装宽度：  3.7(Max)

标准包装名称：  SOT-223

包装高度：  1.65(Max)

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  50000@10V

最大漏源电压：  450

每个芯片的元件数：  1

标签：  Tab

供应商封装形式：  SOT-223

包装长度：  6.7(Max)

PCB：  3

最大连续漏极电流：  0.14

最大功率耗散：  2000

铅形状：  Gull-wing

单位包：  1000

最小起订量：  1000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  140mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 1mA

供应商设备封装：  SOT-223

其他名称：  ZXMN0545G4TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  50 Ohm @ 100mA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2W

漏极至源极电压（Vdss）：  450V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  70pF @ 25V

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  0.14 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  50 Ohms

功率耗散：  2 W

封装/外壳：  SOT-223

上升时间：  7 ns

漏源击穿电压：  450 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  10 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  50 ohm

包装类型：  SOT-223

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1