型号:  ZXMN10A11GTC

功能描述:   MOSFET 100V N-Chnl UMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1.7A

Rds（最大）@ ID，VGS：  350 mOhm @ 2.6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  5.4nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  274pF @ 50V

功率 - 最大：  2W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SOT-223

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 250µA

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：  SOT-223

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  350 mOhm @ 2.6A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2W

标准包装：  4,000

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  274pF @ 50V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  5.4nC @ 10V