型号: ZXMN2A01E6TC
功能描述: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 120 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 303pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-6
封装/外壳: SOT-23-6
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