型号:  ZXMN2A04DN8TC

功能描述:   MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  5.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：  25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  40.5nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1880pF @ 10V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  5.9A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  700mV @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1.25W

标准包装：  2,500

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1880pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  40.5nC @ 4.5V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)