型号:  ZXMN3A01ZTA

功能描述:   MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

制造商:  Diodes Inc

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  2.6nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  186pF @ 25V

功率 - 最大：  970mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16095?mpart=ZXMN3A01ZTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

P（ TOT ）：  0.97W

匹配代码：  ZXMN3A01ZTA

包装：  SOT23

单位包：  1000

标准的提前期：  16 weeks

最小起订量：  2000

极化：  N-CHANNEL

无铅Defin：  RoHS-conform

我（D ）：  2.7A

V（ DS ）：  30V

R（ DS上）：  0.12Ohm

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  SOT-89

其他名称：  ZXMN3A01ZTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  970mW

标准包装：  1,000

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  186pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  2.6nC @ 4.5V

封装/外壳：  TO-243AA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

晶体管极性：  P-Channel

连续漏极电流：  3.3 A

RDS（ON）：  120 mOhms

功率耗散：  0.97 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOT-89

栅极电荷Qg：  2.6 nC

典型关闭延迟时间：  13.5 ns

上升时间：  4.1 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant