型号:  ZXMN3A04DN8TA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  500

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  6.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  20 mOhm @ 12.6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  36.8nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1890pF @ 15V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SOIC

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  8.5 A

RDS -于：  20@10V mOhm

最大门源电压：  ±12 V

典型导通延迟时间：  5.2 ns

典型上升时间：  6.1 ns

典型关闭延迟时间：  38.1 ns

典型下降时间：  20.2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±12

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  2150

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  20@10V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOIC

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.5(Max)

最大连续漏极电流：  8.5

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

P（ TOT ）：  2.15W

匹配代码：  ZXMN3A04DN8TA

LogicLevel：  NO

单位包：  500

标准的提前期：  16 weeks

最小起订量：  500

无铅Defin：  RoHS-conform

汽车：  NO

我（D ）：  8.5A

V（ DS ）：  30V

的RDS（on ） at10V：  0.02Ohm

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  6.5A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

其他名称：  ZXMN3A04DN8TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  20 mOhm @ 12.6A, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1.25W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1890pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  36.8nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Dual Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  8.5 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  30 mOhms

功率耗散：  2.15 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOIC-8

上升时间：  6.1 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  20.2 ns

栅源电压（最大值）：  �12 V

漏源导通电阻：  0.02 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOIC

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military