型号: ZXMN3B01FTC
功能描述: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 150 毫欧 @ 1.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 0.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 2.93nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 258pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 625mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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