型号:  ZXMN3G32DN8TA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-Pin SO T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  500

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  5.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  28 mOhm @ 6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  10.5nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  472pF @ 15V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SO

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  7.1 A

RDS -于：  28@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  2.5 ns

典型上升时间：  3.1 ns

典型关闭延迟时间：  14 ns

典型下降时间：  9.7 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  2100

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  28@10V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SO

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.5(Max)

最大连续漏极电流：  7.1

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

P（ TOT ）：  1.25W

匹配代码：  ZXMN3G32DN8TA

R（ THJC ）：  2.1K/W

LogicLevel：  YES

单位包：  500

标准的提前期：  10 weeks

最小起订量：  3000

Q（克）：  10.5nC

LLRDS （上）：  0.045Ohm

汽车：  NO

LLRDS （上）在：  4.5V

我（D ）：  7.1A

V（ DS ）：  30V

技术：  TrenchFET

的RDS（on ） at10V：  0.028Ohm

无铅Defin：  RoHS-conform

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  5.5A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

其他名称：  ZXMN3G32DN8TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  28 mOhm @ 6A, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1.25W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  472pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  10.5nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Dual

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  7.1 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  28 mOhms

功率耗散：  2.1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SO-8

上升时间：  3.1 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  9.7 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.028 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C