型号:  ZXMN6A11GTA

功能描述:  MOSFET 60V N-Chnl UMOS

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  4.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  5.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3.9 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.65 mm

长度:  6.7 mm

系列:  ZXMN6A1

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  3.7 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  4.9 S

下降时间:  4.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.5 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  8.2 ns

典型接通延迟时间:  1.95 ns

单位重量:  112 mg