型号:  ZXMNS3BM832TA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 2.72A 8-Pin MLP832 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Diode (Isolated)

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2A

Rds（最大）@ ID，VGS：  180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  2.9nc @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  314pF @ 15V

功率 - 最大：  1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-MLP

供应商器件封装：  8-MLP, MicroFET (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8MLP832

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  2.72 A

RDS -于：  180@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±12 V

典型导通延迟时间：  1.1 ns

典型上升时间：  1.5 ns

典型关闭延迟时间：  5.1 ns

典型下降时间：  2.1 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Diode (Isolated)

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  700mV @ 250µA

封装/外壳：  8-MLP

供应商设备封装：  8-MLP, MicroFET (3x2)

其他名称：  ZXMNS3BM832TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  314pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  2.9nC @ 4.5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant