型号:  ZXMP10A17KTC

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 100V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.4A

Rds（最大）@ ID，VGS：  350 mOhm @ 1.4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  10.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  424pF @ 50V

功率 - 最大：  2W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  TO-252-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DPAK

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  3.9 A

RDS -于：  350@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  3 ns

典型上升时间：  3.5 ns

典型关闭延迟时间：  13.4 ns

典型下降时间：  7.2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Standard

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.4A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 250µA

供应商设备封装：  TO-252-3

其他名称：  ZXMP10A17KTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  350 mOhm @ 1.4A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2W

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  424pF @ 50V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  10.7nC @ 10V

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  3.9 A

RDS（ON）：  350 mOhms

功率耗散：  10.2 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  DPAK

上升时间：  3.5 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  100 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  7.2 ns