型号:  ZXMP3F37N8TA

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-Pin SO T/R

制造商:  diodes, inc

包装：  8SO

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  8.5 A

RDS -于：  25@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  3.5 ns

典型上升时间：  4.9 ns

典型关闭延迟时间：  44 ns

典型下降时间：  28 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

单位包：  500

最小起订量：  1000

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  6.4A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商设备封装：  8-SO

其他名称：  ZXMP3F37N8TADI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  25 mOhm @ 7.1A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.56W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1678pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  31.6nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant