型号:  ZXMP6A16DN8QTA

功能描述:   MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  *

其他名称：  ZXMP6A16DN8QTADITR

标准包装：  500

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  500

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：  - 60 V

晶体管极性：  P-Channel

封装/外壳：  SOIC-8

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：  - 1 V

Qg - Gate Charge：  24.2 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：  20 V

下降时间：  10 ns

安装风格：  SMD/SMT

品牌：  Diodes Incorporated

通道数：  2 Channel

配置：  Dual

最高工作温度：  + 150 C

晶体管类型：  2 P-Channel

正向跨导 - 闵：  7.2 S

Id - Continuous Drain Current：  - 3.9 A

Rds On - Drain-Source Resistance：  125 mOhms

RoHS：  RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：  35 ns

通道模式：  Enhancement

封装：  Reel

最低工作温度：  - 55 C

Pd - Power Dissipation：  2.15 W

上升时间：  4.1 ns

技术：  Si