型号:  ZXMP7A17GQTA

功能描述:   MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

制造商:  Diodes Incorporated

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：  SOT-223

其他名称：  ZXMP7A17GQTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  160 mOhm @ 2.1A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2W

标准包装：  1,000

漏极至源极电压（Vdss）：  70V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.6A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：  635pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  18nC @ 10V

RoHS指令：  Contains lead / RoHS Compliant

漏源极电压 (Vdss)：  70V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：  635pF @ 40V

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：  160 mOhm @ 2.1A, 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：  18nC @ 10V

FET 功能：  Standard

FET 类型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：  1V @ 250µA

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：  2.6A (Ta)

工厂包装数量：  1000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：  - 70 V

晶体管极性：  P-Channel

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：  - 1 V

Qg - Gate Charge：  18 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：  20 V

下降时间：  8 ns

品牌：  Diodes Incorporated

通道数：  1 Channel

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

晶体管类型：  1 P-Channel

正向跨导 - 闵：  4.4 S

Id - Continuous Drain Current：  - 2.6 A

Rds On - Drain-Source Resistance：  250 mOhms

RoHS：  RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：  27.9 ns

通道模式：  Enhancement

系列：  ZXMP7

安装风格：  SMD/SMT

最低工作温度：  - 55 C

Pd - Power Dissipation：  16 W

上升时间：  3.4 ns

技术：  Si