型号:  ZXMS6005DT8TA

功能描述:  MOSFET 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SM-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  1.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 125 C

Pd-功率耗散:  2.13 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  IntelliFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  ZXMS600

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  19 us, 19 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  14 us, 14 us

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  34 us, 34 us

典型接通延迟时间:  6 us, 6 us