型号:  ZXT12N50DXTC

功能描述:   Trans GP BJT NPN 50V 3A 8-Pin MSOP T/R

制造商:  diodes, inc

标准包装：  4,000

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

集电极电流（Ic）（最大）：  3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  250mV @ 50mA, 3A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  300 @ 1A, 2V

功率 - 最大：  1.04W

频率转换：  132MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 宽度 )

供应商器件封装：  8-MSOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8MSOP

类型：  NPN

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  50 V

集电极最大直流电流：  3 A

最小直流电流增益：  250@10mA@2V|300@1A@2V|150@3A@2V|50@5A@2V

最大工作频率：  132(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.013@10mA@0.1A|0.12@10mA@1A|0.25@50mA@3A|0.175@300mA@3A V

最大集电极基极电压：  100 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  1250 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

单位包：  4000

最小起订量：  4000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3A

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  132MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  250mV @ 50mA, 3A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  8-MSOP

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  1.04W

封装/外壳：  8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  300 @ 1A, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

集电极 - 发射极饱和电压：  135 mV

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  7.5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 3 A at 2 V, 50 at 5 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  250 at 10 mA at 2 V

增益带宽产品fT：  132 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  50 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  100 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Dual

最高工作温度：  + 150 C