型号:  ZXTC6719MCTA

功能描述:   Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4.5A/3.5A 8-Pin DFN EP T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN, PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  4A, 3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V, 40V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V

功率 - 最大：  1.7W

频率转换：  165MHz, 190MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：  8-DFN (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8DFN EP

类型：  NPN|PNP

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  50@NPN|40@PNP V

集电极最大直流电流：  4.5@NPN|3.5@PNP A

最小直流电流增益：  200@10mA@2V@NPN|300@200mA@2V@NPN|200@1A@2V@NPN|100@2A@2V@NPN|300@10mA@2V@PNP|300@100mA@2V@PNP|180@1A@2V@PNP|60@1.5A@2V@PNP|12@3A@2V@PNP

最大工作频率：  165(Typ)@NPN|190(Typ)@PNP MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.02@10mA@0.1A@NPN|0.2@10mA@1A@NPN|0.1@50mA@1A@NPN|0.22@50mA@2A@NPN|0.3@100mA@3A@NPN|0.32@200mA@4A@NPN|0.04@10mA@0.1A@PNP|0.22@50mA@1A@PNP|0.3@100mA@1.5A@PNP|0.3@200mA@2A@PNP|0.37@250mA@2.5A@PNP V

最大集电极基极电压：  100@NPN|50@PNP V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  2450 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  4.5@NPN|3.5@PNP

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  165(Typ)@NPN|190(Typ)@PNP

包装宽度：  2

PCB：  8

最大功率耗散：  2450

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  2

最大集电极基极电压：  100@NPN|50@PNP

最大集电极发射极电压：  50@NPN|40@PNP

供应商封装形式：  DFN EP

标准包装名称：  DFN

最高工作温度：  150

包装长度：  3

包装高度：  0.78

最大基地发射极电压：  7

封装：  Tape and Reel

铅形状：  No Lead

P（ TOT ）：  1.5W

匹配代码：  ZXTC6719MC

I（C ）：  4A

V（ CEO ）：  50V

单位包：  3000

标准的提前期：  17 weeks

最小起订量：  3000

极化：  NPN/PNP

无铅Defin：  RoHS-conform

汽车：  AEC-Q(101)

电流增益：  400

V（ CBO ）：  100V

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  4A, 3A

晶体管类型：  NPN, PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  165MHz, 190MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V, 40V

供应商设备封装：  8-DFN (3x2)

功率 - 最大：  1.7W

封装/外壳：  8-WDFN Exposed Pad

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V

其他名称：  ZXTC6719MCTATR