型号:  ZXTD619MCTA

功能描述:   Trans GP BJT NPN 50V 4A 8-Pin DFN EP T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  4A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  320mV @ 200mA, 4A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 2A, 2V

功率 - 最大：  1.7W

频率转换：  165MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：  8-DFN (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8DFN EP

类型：  NPN

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  50 V

集电极最大直流电流：  4 A

最小直流电流增益：  200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@1A@2V|100@2A@2V

最大工作频率：  165(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.02@10mA@0.1A|0.1@50mA@1A|0.2@10mA@1A|0.22@50mA@2A|0.3@100mA@3A|0.32@200mA@4A V

最大集电极基极电压：  100 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  2450 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  4

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  165(Typ)

包装宽度：  2

PCB：  8

最大功率耗散：  2450

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  2

最大集电极基极电压：  100

最大集电极发射极电压：  50

供应商封装形式：  DFN EP

标准包装名称：  DFN

最高工作温度：  150

包装长度：  3

包装高度：  0.78

最大基地发射极电压：  7

封装：  Tape and Reel

铅形状：  No Lead

单位包：  3000

最小起订量：  3000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  4A

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  165MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  320mV @ 200mA, 4A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  8-DFN (3x2)

功率 - 最大：  1.7W

封装/外壳：  8-WDFN Exposed Pad

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 2A, 2V

其他名称：  ZXTD619MCTATR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

RoHS：  RoHS Compliant

集电极电流（DC ）：  4 A

集电极 - 基极电压：  100 V

集电极 - 发射极电压：  50 V

发射极 - 基极电压：  7 V

频率：  165 MHz

功率耗散：  2.45 W

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  DFN EP

元件数：  2

直流电流增益：  200

工作温度分类：  Military