型号:  ZXTDE4M832TA

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT 80V NPN / 70V PNP

制造商:  Diodes Inc.

产品更改通知：  MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN, PNP

集电极电流（Ic）（最大）：  3.5A, 2.5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  80V, 70V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  160MHz, 180MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-MLP

供应商器件封装：  8-MLP (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

集电极最大直流电流：  3.5@NPN|2.5@PNP

最小直流电流增益：  200@10mA@2V|300@200mA@2V|110@1A@2...

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最大集电极基极电压：  100@NPN|70@PNP

包装高度：  1(Max)

安装：  Surface Mount

最大基地发射极电压：  7.5

Maximum Transition Frequency ：  160(Typ)@NPN|180(Typ)@PNP

封装：  Tape and Reel

PCB：  8

最大集电极发射极电压：  80@NPN|70@PNP

每个芯片的元件数：  2

包装宽度：  2

供应商封装形式：  MLP

包装长度：  3

最大功率耗散：  3000

类型：  NPN|PNP

引脚数：  8

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3.5A, 2.5A

晶体管类型：  NPN, PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  160MHz, 180MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  80V, 70V

供应商设备封装：  8-MLP (3x2)

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  8-MLP

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V

其他名称：  ZXTDE4M832TATR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant