型号: ZXTN2010ZQTA
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 190 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 8.1 V
集电极—射极饱和电压: 230 mV
最大直流电集电极电流: 20 A
增益带宽产品fT: 130 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: ZXTN2010
直流电流增益 hFE 最大值: 300
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 5 A
Pd-功率耗散: 1.5 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：罗志坚
电话：13923482469
Q Q:
联系人：Michael
Q Q:
联系人：林小姐
电话：15816883608
Q Q:
