型号:  ZXTN5551FLTA

功能描述:   Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN

集电极电流（Ic）（最大）：  600mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  160V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  200mV @ 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  80 @ 10mA, 5V

功率 - 最大：  330mW

频率转换：  130MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/14684?mpart=ZXTN5551FLTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  3SOT-23

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  160 V

集电极最大直流电流：  0.6 A

最小直流电流增益：  80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V

最大工作频率：  130(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA V

最大集电极基极电压：  180 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  330 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.6

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  130(Typ)

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  330

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  180

最大集电极发射极电压：  160

供应商封装形式：  SOT-23

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

包装长度：  3.04(Max)

包装高度：  1.02(Max)

最大基地发射极电压：  6

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

单位包：  3000

最小起订量：  3000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  600mA

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  130MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  200mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  160V

供应商设备封装：  SOT-23-3

功率 - 最大：  330mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  80 @ 10mA, 5V

其他名称：  ZXTN5551FLTR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

增益带宽产品fT：  130 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  6 V

直流集电极/增益hfe最小值：  80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V

直流电流增益hFE最大值：  80 at 1 mA at 5 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  160 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  180 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

集电极电流（ DC）（最大值）：  0.6 A

集电极 - 基极电压：  180 V

集电极 - 发射极电压：  160 V

发射极 - 基极电压：  6 V

频率：  130 MHz

功率耗散：  0.33 W

工作温度范围：  -55C to 150C