型号:  ZXTP2012A

功能描述:   Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 3-Pin E-Line

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  3.5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  210mV @ 400mA, 4A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 1A, 1V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  120MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 Short Body Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3E-Line

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  60 V

集电极最大直流电流：  3.5 A

最小直流电流增益：  100@10mA@1V|100@1A@1V|65@4A@1V|10@10A@1V

最大工作频率：  120(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.02@10mA@0.1A|0.065@100mA@1A|0.115@200mA@2A|0.21@400mA@4A V

最大集电极基极电压：  100 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  1000 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

集电极最大直流电流：  3.5

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  120(Typ)

包装宽度：  2.41(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1000

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  100

最大集电极发射极电压：  60

供应商封装形式：  E-Line

标准包装名称：  TO-92

最高工作温度：  150

包装长度：  4.77(Max)

包装高度：  4.01(Max)

最大基地发射极电压：  7

铅形状：  Through Hole

单位包：  4000

最小起订量：  4000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3.5A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  120MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  210mV @ 400mA, 4A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

供应商设备封装：  TO-92-3

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 Short Body Formed Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 1A, 1V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

集电极 - 发射极饱和电压：  - 145 mV

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  7 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 65 at 4 A at 1 V, 10 at 10 A at 1 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 10 mA at 1 V

增益带宽产品fT：  120 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 60 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  - 100 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C