型号:  ZXTPS718MCTA

功能描述:   Trans GP BJT PNP 20V 3.9A 8-Pin DFN EP T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  PNP + Diode (Isolated)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  3.5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  20V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  300mV @ 350mA, 3.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  150 @ 2A, 2V

功率 - 最大：  3W

频率转换：  180MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：  8-DFN (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8DFN EP

类型：  PNP

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  20 V

集电极最大直流电流：  3.9 A

最小直流电流增益：  300@10mA@2V|300@100mA@2V|150@2A@2V|15@6A@2V

最大工作频率：  180(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.03@10mA@0.1A|0.22@20mA@1A|0.25@50mA@1.5A|0.35@150mA@2.5A|0.3@350mA@3.5A V

最大集电极基极电压：  25 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  2450 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  3.9

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  180(Typ)

包装宽度：  2

PCB：  8

最大功率耗散：  2450

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  25

最大集电极发射极电压：  20

供应商封装形式：  DFN EP

标准包装名称：  DFN

最高工作温度：  150

包装长度：  3

包装高度：  0.78

最大基地发射极电压：  7

封装：  Tape and Reel

铅形状：  No Lead

单位包：  3000

最小起订量：  3000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3.5A

晶体管类型：  PNP + Diode (Isolated)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  180MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 350mA, 3.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  20V

供应商设备封装：  8-DFN (3x2)

功率 - 最大：  3W

封装/外壳：  8-WDFN Exposed Pad

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  150 @ 2A, 2V

其他名称：  ZXTPS718MCTATR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant