型号:  ZXTS1000E6TA

功能描述:   Trans GP BJT PNP 12V 1.25A 6-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  PNP + Diode (Isolated)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1.25A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  12V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  240mV @ 100mA, 1.25A

电流 - 集电极截止（最大）：  10nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  200 @ 500mA, 2V

功率 - 最大：  885mW

频率转换：  220MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6

供应商器件封装：  SOT-23-6

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6SOT-23

类型：  PNP

引脚数：  6

最大集电极发射极电压：  12 V

集电极最大直流电流：  1.25 A

最小直流电流增益：  300@10mA@2V|300@100mA@2V|200@500mA@2V|125@1.25A@2V|75@2A@2V|30@3A@2V

最大工作频率：  220(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.04@10mA@0.1A|0.1@10mA@0.25A|0.175@10mA@0.5A|0.215@50mA@1A|0.24@100mA@1.25A V

工作温度：  -55 to 125 °C

最大功率耗散：  885 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

RoHS：  RoHS Compliant

配置：  Single

晶体管极性：  PNP

集电极 - 基极电压VCBO：  12 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  12 V

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

增益带宽产品fT：  220 MHz

直流集电极/增益hfe最小值：  300 at 10 mA at 2 V, 300 at 100 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 125 at 1.25 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 30 at 3 A at 2 V

最高工作温度：  + 125 C

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SOT-23-6

直流电流增益hFE最大值：  300 at 10 mA at 2 V

封装：  Reel

工厂包装数量：  3000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1.25A

晶体管类型：  PNP + Diode (Isolated)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  220MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  240mV @ 100mA, 1.25A

电流 - 集电极截止（最大）：  10nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  12V

供应商设备封装：  SOT-23-6

功率 - 最大：  885mW

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 500mA, 2V