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IPW60R099C6介绍

时间:2019-07-29 08:54发布企业:深圳市三砖科技有限公司
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nfineon Technologies CoolMOS™ 功率晶体管

Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术,该技术根据超结原理 (SJ) 设计,并由 Infineon Technologies 率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验,并兼具高度的创新性。 它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时,丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便,散热效果也更佳。 Infineon Technologies 扩展了采用 CoolMOS™ 技术的 CoolMOS® 功率晶体管产品,该技术根据超结原理设计,适用于高压功率 MOSFET 。 这些CoolMOS®功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供坚固的超高速体二极管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶体管尤其适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段。 

英飞凌科技公司扩大了其CoolMOS®功率晶体管的供应,该产品采用了一种革命性的高压功率mosfet技术,根据超结(SJ)原理设计。这些CoolMOS®功率晶体管提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供了一个非常快和强大的体二极管。酷睿®功率晶体管特别适用于PC银盒、液晶电视、照明、服务器和电信应用的谐振开关PWM级。

产品种类:
MOSFET

RoHS:
 

 

技术:
Si

安装风格:
Through Hole

封装 / 箱体:
TO-247-3

通道数量:
1 Channel

晶体管极性:
N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:
600 V

Id-连续漏极电流:
37.9 A

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