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SI7461DP-T1-GE3正品原装供应

时间:2022-06-21 08:50发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 14.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 14.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 121 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.4 W
通道模式: Enhancement
商标名:
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 31 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
系列:
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 205 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: SI7461DP-GE3
单位重量: 506.600 mg


Vishay Semiconductors SI7461DP-T1-GE3 默认Thumbnail

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