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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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射频(RF)双极晶体管
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RoHS:
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系列:
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晶体管类型:
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Bipolar
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技术:
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Si
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晶体管极性:
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NPN
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工作频率:
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5000 MHz
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直流集电极/Base Gain hfe Min:
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70
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集电极—发射极最大电压 VCEO:
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15 V
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发射极 - 基极电压 VEBO:
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2.5 V
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集电极连续电流:
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0.045 A
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最小工作温度:
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- 65 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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配置:
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Single
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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SOT-23
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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Infineon Technologies
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集电极—基极电压 VCBO:
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20 V
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直流电流增益 hFE 最大值:
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70 at 15 mA at 8 V
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高度:
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1 mm
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长度:
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2.9 mm
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最大直流电集电极电流:
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0.045 A
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Pd-功率耗散:
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280 mW
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产品类型:
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RF Bipolar Transistors
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工厂包装数量:
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9000
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子类别:
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Transistors
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类型:
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RF Bipolar Small Signal
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宽度:
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1.3 mm
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零件号别名:
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BFR92PE6327XT SP000011062 BFR92PE6327HTSA1
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单位重量:
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33 mg
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