TF202L-SOT113SR-E4-TG_UTC代理商导读
为保护功率MOSFET 不受损坏，IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。当VCC 电压高于26V 时，gate 信号立即停止ON/OFF，功率管关闭。
U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三种方式进行封装包裹。
M7612L-SOP8T-TG
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。
LR1148G-SC59.5R-AD-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATGQ LD2117AG-SOT223R-AD-ATG 2SD669AL-TO252R-D-TG UG9KG-SOT363R-TG 。
VCC 脚位增加一高频滤波电容建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
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UPC1008G-LSOP4R-TG 2SC1815L-TO92B-Y-TG LD1117AG-TO252R-33-ATGQ UT8205AG-TSSOP8R-TG U74AHCT1G125G-SOT353R-TG 。
UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
。其具有高压启动功能，方便客户满足待机效率的六级能效设计。UCS165XS 是一款最新的PWM IC，利用混合操作模式（PWM/PFM/Burst）达到高效率，满足六级能效标准。
起始階段：IC 上电完毕后後，Vout=0，CS 為0， 起始頻率65kHz，PWM 开始工作， CS由Softstart 啟動，FB 为开路电压5.2V。
为提供客户完整的解决方案及具IDM采取主动的方式，从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销，在每一个关键点都充分掌握其自主的能力，以达到产能保障及技术自主，充分展现企业竞争力。友顺科技股份有限公司成立于1990年，专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。
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