78L12MG-SOT89R-TG_UTC代理商导读
UCS165XS 有非常低的启动电流（<5uA）和较低的起始电压，并且内含高压启动开关，与常规PWM IC 相比，可大限度地减少外部电路之启动功耗损失，同时又能保障启动速度最快，对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
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当VCC 电压高于26V 时，gate 信号立即停止ON/OFF，功率管关闭，动作如图4 所示。过电压保护（OVP）为保护功率MOSFET 不受损坏，IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。一旦OVP 发生，功率管关闭，如果过电压解除，系统将在下一次上电后恢复正常工作。VCC 过压保护功能是自动恢复重启的保护。
高压启动开关控制 VCC 电容的启动，传统开关电源控制器都是外接启动电阻对IC 的VCC 脚位电容充电启动，UCS165XS 系列责使用内含高压启动开关从功率管drain 脚位抽取线输入电流进行恒流启动，启动恒定电流约为600uA，其优点是无论线输入电压高低，充电电流恒定，避免了传统开关电源系统外接电阻启动在低输入线电压条件下的启动电流极低的尴尬，因此UCS165XS 系列启动速度极快，对高值电容限制低。
U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。
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。其具有高压启动功能，方便客户满足待机效率的六级能效设计。UCS165XS 是一款最新的PWM IC，利用混合操作模式（PWM/PFM/Burst）达到高效率，满足六级能效标准。
78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
IC 内部所有功能块开始工作，之后的时间里Drain 脚位仅受内部功率管控制。
在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
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