英飞凌科技CoolMOS™功率晶体管
英飞凌CoolMOS™功率晶体管采用面向高压功率MOSFET的革命性CoolMOS™技术,该技术根据超结原理(SJ)设计,并由英飞凌科技率先应用。CoolMOS™C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验,并兼具高度的创新性。它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时,丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效,小巧,轻便,散热效果也更佳。英飞凌科技扩展了采用CoolMOS™技术的CoolMOS®功率晶体管产品,该技术根据超结原理设计,适用于高压功率MOSFET。这些CoolMOS®功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供坚固的超高速体二极管。英飞凌科技CoolMOS®功率晶体管尤其适用于PC Silverbox,液晶电视,照明,服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段。查看整个CoolMOS系列
英飞凌科技公司扩大了其CoolMOS®功率晶体管的供应，该产品采用了一种革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(SJ)原理设计。这些CoolMOS®功率晶体管提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供了一个非常快和强大的体二极管。酷睿®功率晶体管特别适用于PC银盒、液晶电视、照明、服务器和电信应用的谐振开关PWM级。
C3场效电晶体
英飞凌500V/600V/650V酷睿mos™C3 mosfet具有极低的通态电阻(RDS(on)* a)，实现了极低的传导和开关损耗，使开关应用更加高效。这些设备使用现场证明的CoolMOS质量，提供卓越的成本和性能。这些mosfet非常适合在服务器、电信、消费者、PC电源和适配器应用程序中使用。
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英飞凌800V CoolMOS™C3 mosfet由于具有较低的比通态电阻(RDS(on)* a)，实现了极低的传导和开关损耗，使开关应用程序更高效、更紧凑、更轻和更冷。此外，该系列产品具有优异的性价比。800V CoolMOS™C3产品经过优化，在太阳能逆变器、工业逆变器、三相拓扑结构、PC电源、适配器、液晶电视和照明等应用中易于使用和提高效率。
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英飞凌900V CoolMOS™C3 mosfet基于充电补偿的器件概念，与其他900V传统mosfet相比，每个封装类型的RDS(on)可显著降低四倍或更多的on电阻。900V的CoolMOS™C3还提供了一个非常低的性能数字- on-电阻乘以门电荷(RDS(on)*Qg)的34W*nC，转化为低传导，驱动和开关损耗。900V CoolMOS™C3非常适合于高效率开关电源、工业和可再生能源应用。
英飞凌技术n通道OptiMOS™功率mosfet
英飞凌n通道OptiMOS™功率mosfet是世界领先的功率mosfet，提供最高的功率密度和节能解决方案。超低的门极和输出电荷，以及在小内存占用包中最低的状态电阻，是服务器、数据通信和电信应用程序中电压调整器解决方案的理想选择。超高速开关控制场效应管与低EMI同步场效应管提供的解决方案，易于设计。英飞凌n通道OptiMOS™功率mosfts提供了极好的栅电荷，并优化了DC-DC转换。
OptiMOS™产品可提供高性能的软件包，以解决最具挑战性的应用程序，在优化空间、效率和成本方面具有充分的灵活性。OptiMOS™产品的设计目的是满足并超过计算应用中下一代电压调节标准的能源效率和功率密度要求。
特性
为高性能降压转换器优化了SyncFET
100%雪崩测试
n沟道
非常低的开阻RDS(on) @ VGS=4.5V
给定RDS(on)的超低门(Qg)和输出电荷(Qoss)
根据JEDEC对目标应用程序的认证
优越的热阻
Pb-free电镀;通过无铅认证
无卤符合IEC61249-2-21
应用程序
船上服务器电源
用于高性能计算的电源管理
同步整流
负载变换器的高功率密度点