BSC066N06NS MOSFET MV POWER MOS

时间：2019-09-24 09:30发布企业：深圳市三砖科技有限公司

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Infineon Technologies OptiMOS™ 5功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术进行设计，经过优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。

其他资源

25V和30V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5 25V和30V功率MOSFET可在待机与完全运行状态下通过实现优秀的功率密度和能耗来提供基准解决方案。这些MOSFET采用新型硅技术进行设计，经过优化后可达到并超越能耗与功率密度的要求。

这些器件采用了直流/直流应用中更严谨的新一代电压调节标准。OptiMOS™ 5产品适用于计算领域中的各种调压应用，包括服务器、数据通信和客户端应用，同时也专注于Intel的VR和IMVP平台。

产品特色
• 优秀的导通电阻
• 基准开关性能（最低品质因数Ron x Qg和Ron x Qgd）
• 符合RoHS要求，无卤素
• 优化的EMI行为（集成阻尼网络）
• 高效率
• 采用S3O8或Power Block封装，功率密度高
• 可降低整体系统成本
• 可在高开关频率下运作

应用
• 台式机和服务器
• 单相和多相PoL
• 笔记本电脑内的CPU/GPU电压调节
• 高功率密度稳压器
• OR-ing
• 电子保险丝

系统效率

Infineon Technologies OptiMOS™ 5功率MOSFET

40V和60V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5 40V和60V功率MOSFET的设计能克服提高系统效率与功率密度的挑战，同时可降低系统成本。相比其他备选器件，该MOSFET的RDS(on)降低15%，品质因数 (RDS(on) x Qg) 降低31%，能够很好地克服这些设计挑战。

这些器件经过优化后，可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器等各种工业应用。

产品特色
• 采用SuperSO8封装的1mΩ 40V和1.4mΩ 60V设备
• 单片集成式类萧特基二极管
• 符合RoHS要求，无卤素
• MSL1等级
• 高系统效率、高功率密度
• 低电压过冲
• 减少缓冲电路的需求
• 器件并行需求较低
• 降低工程设计成本与负担

应用
• 同步整流
• 微型太阳能逆变器
• 隔离式直流/直流转换器
• 低电压电机控制
• OR-ing开关

RDS(ON) 比较

80V和100V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5 80V和100V功率MOSFET是新一代MOSFET，适用于电信和服务器电源内的同步整流。这些设备也可用在诸如太阳能、低电压驱动器和配接器等其他工业应用中。

新款OptiMOS™ 5 80V和100V MOSFET提供七种不同封装，其RDS(on)非常低。设备具有优秀的品质因数 (FOM)，其带来的优势之一是低导通电阻，Super SO-8封装的导通电阻低至2.7mΩ，使其拥有出色的功率密度和效率。

产品特色
• 针对同步整流优化
• 适用于高开关频率
• 输出电容提高达44%
• 和上代相比RDS(on)可降低达43%
• 提高系统效率
• 降低开关与传导损耗
• 并行需求较低
• 提高功率密度
• 降低5V的电压过冲

应用
• 电信
• 服务器
• 太阳能
• 低电压驱动器
• 轻型电动车
• 配接器

性能比较

150V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5 150V功率MOSFET适用于低电压驱动器，例如叉车、电动滑板车、电信及太阳能应用。150V MOSFET最多可将RDS(on)与Qrr降低25%，并且不牺牲FOMgd，可减轻设计工作并且可以优化系统性能。超低反向恢复电荷（SuperSO8中最低的Qrr = 26nC）可提高换相耐用性。

OptiMOS 5 150V技术可提供更小型、更优秀的SuperSO8 (PQFN 5x6) 封装设备，以取代TO-220封装。由于封装电感降低，此开关可提供更高的功率密度与较低的电压过冲 (VDS)。

产品特色
• 较低的RDS(on)而不牺牲FOMgd与FOMOSS
• 较低的输出电荷
• 超低反向恢复电荷
• 提高换相耐用性
• 可提供更高的开关频率

应用
• 低电压驱动器
• 电信
• 太阳能

性能比较

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