IPP60R600E6 MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6

时间：2019-09-27 09:18发布企业：深圳市三砖科技有限公司

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Infineon Technologies CoolMOS™ 功率晶体管

Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术，该技术根据超结原理 (SJ) 设计，并由 Infineon Technologies 率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验，并兼具高度的创新性。它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时，丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便，散热效果也更佳。 Infineon Technologies 扩展了采用 CoolMOS™ 技术的 CoolMOS® 功率晶体管产品，该技术根据超结原理设计，适用于高压功率 MOSFET 。这些CoolMOS®功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时提供坚固的超高速体二极管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶体管尤其适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段。查看整个CoolMOS系列

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

600 V

Id-连续漏极电流:

7.3 A

Rds On-漏源导通电阻:

540 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

63 W

配置:

Single

商标名:

封装:

Tube

高度:

15.65 mm

长度:

10 mm

系列:

晶体管类型:

1 N-Channel

宽度:

4.4 mm

商标:

Infineon Technologies

产品类型:

MOSFET

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IPP60R600E6 MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6

Infineon Technologies CoolMOS™ 功率晶体管

产品种类: MOSFET

RoHS:

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 7.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 540 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

配置: Single