国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT

国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT 采用 IR 最新一代有沟槽栅、场终止技术、工业标准 TO-247 封装，在同类产品中具有最佳的性能，适用于工业和节能应用。第 8 代技术具有更高级别软关闭特性，适用于电机驱动应用，可以最小化 dv/dt 以降低 EMI和过电压，提高了可靠性和坚固性。这些第 8 代 IGBT 具有从 8A 至 60A 的电流额定值，其中 VCE（ON） 典型值为 1.7V，短路保护额定值为 10µs，这降低了功率耗散，从而提高了功率密度和鲁棒性。1200V 第 8 代 IGBT 采用薄晶片技术，改进了热阻性能，最大结温为 175°C。