产品属性
属性值
制造商:
onsemi
产品种类:
MOSFET
RoHS:
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-3PN-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
500 V
Id-连续漏极电流:
19 A
Rds On-漏源导通电阻:
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Qg-栅极电荷:
60 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
239 W
通道模式:
Enhancement
系列:
封装:
Tube
商标:
onsemi / Fairchild
配置:
Single
下降时间:
90 ns
正向跨导 - 最小值:
25 S
高度:
20.1 mm
长度:
16.2 mm
产品类型:
上升时间:
165 ns
工厂包装数量:
450
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
95 ns
典型接通延迟时间:
55 ns
宽度:
5 mm
单位重量:
4.600 g