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FQPF4N90C 安森美MOSFET

时间:2023-05-06 17:20发布企业:奋钧智能(深圳)科技有限公司
联系人:王小姐电话:15773539469Q Q:

产品属性

属性值

制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

900 V

Id-连续漏极电流:

4 A

Rds On-漏源导通电阻:

4.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

Qg-栅极电荷:

22 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

47 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

系列:

封装:

Tube

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

35 ns

正向跨导 - 最小值:

5 S

高度:

16.07 mm

长度:

10.36 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

50 ns

工厂包装数量:

1000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

类型:

MOSFET

典型关闭延迟时间:

40 ns

典型接通延迟时间:

25 ns

宽度:

4.9 mm

零件号别名:

FQP