NTMFS5C628NLT1G 安森美MOSFET

产品属性

属性值

制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SO-8FL-4

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

60 V

Id-连续漏极电流:

150 A

Rds On-漏源导通电阻:

2.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.2 V

Qg-栅极电荷:

52 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

3.7 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

onsemi

配置:

Single

下降时间:

70 ns

正向跨导 - 最小值:

110 S

产品类型:

MOSFET

上升时间:

150 ns

工厂包装数量:

1500

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

28 ns

典型接通延迟时间:

15 ns

单位重量:

175 mg