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FDP075N15A-F102 安森美 MOSFET

时间:2023-05-06 17:25发布企业:奋钧智能(深圳)科技有限公司
联系人:王小姐电话:15773539469Q Q:

产品属性

属性值

制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

150 V

Id-连续漏极电流:

130 A

Rds On-漏源导通电阻:

7.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

4 V

Qg-栅极电荷:

77 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

333 W

通道模式:

Enhancement

系列:

封装:

Tube

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

21 ns

高度:

16.3 mm

长度:

10.67 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

37 ns

工厂包装数量:

50

子类别:

MOSFETs

典型关闭延迟时间:

62 ns

典型接通延迟时间:

28 ns

宽度:

4.7 mm

零件号别名:

FDP075N15A_F102

单位重量:

2 g