产品属性
属性值
制造商:
onsemi
产品种类:
MOSFET
RoHS:
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
150 V
Id-连续漏极电流:
130 A
Rds On-漏源导通电阻:
7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4 V
Qg-栅极电荷:
77 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
333 W
通道模式:
Enhancement
系列:
封装:
Tube
商标:
onsemi / Fairchild
配置:
Single
下降时间:
21 ns
高度:
16.3 mm
长度:
10.67 mm
产品类型:
上升时间:
37 ns
工厂包装数量:
50
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
62 ns
典型接通延迟时间:
28 ns
宽度:
4.7 mm
零件号别名:
FDP075N15A_F102
单位重量:
2 g