型号：DMN4800LSSQ
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：331.73 Kbytes
页数：共6页
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN4800LSSQ-13
厂商：Diodes Incorporated
大小：288.28 Kbytes
功能：MOSFET 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
大小：326.79 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
厂商：DIODES(美台)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.46W 类型：N沟道
