型号：DMN65D8L
厂商：DIODES[Diodes Incorporated]
大小：148.85 Kbytes
页数：共6页
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大小：378.72 Kbytes
型号：DMN65D8L_15
型号：DMN65D8L_16
型号：DMN65D8L-7
型号：DMN65D8LDW
大小：535.59 Kbytes
功能：Dual N-Channel MOSFET
型号：DMN65D8LDW_15
功能：DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
型号：DMN65D8LDW-7
型号：DMN65D8LDWQ-13
厂商：Diodes Incorporated
大小：482.50 Kbytes
功能：MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
型号：DMN65D8LDWQ-7
型号：DMN65D8LFB
大小：334.35 Kbytes
功能：N-Channel MOSFET
型号：DMN65D8LFB_15
功能：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET
型号：DMN65D8LFB-7
型号：DMN65D8LFB-7B
型号：DMN65D8LFb-7B
厂商：DIODES(美台)
大小：257.59 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：260mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430mW 类型：N沟道
型号：DMN65D8LQ
大小：461.1 Kbytes
页数：共8页
型号：DMN65D8LQ-13
型号：DMN65D8LQ-7
型号：DMN65D8LT-13
大小：597.97 Kbytes
功能：表面贴装型 N 通道 60 V 210mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-523
型号：DMN65D8LT-7
型号：DMN65D8LW
大小：154.38 Kbytes
页数：共5页
型号：DMN65D8LW_15
功能：DMN65D8LW_15
型号：DMN65D8LW-7
