型号：DMT10H009LCG-7
厂商：Diodes Incorporated
大小：500.87 Kbytes
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功能：MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333
厂商：DIODES(美台)
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
