型号：TK100E10N1
厂商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
大小：337.46 Kbytes
页数：共2页
功能：isc N-Channel MOSFET Transistor
型号：TK100E10N1,S1X
厂商：Toshiba
大小：247.87 Kbytes
页数：共9页
功能：MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
厂商：Toshiba Semiconductor and Storage
大小：247.48 Kbytes
功能：MOSFET N-CH 100V 100A TO220
型号：TK100E10N1,S1X(S
厂商：TOSHIBA(东芝)
大小：247.36 Kbytes
功能：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道
