型号：VB20120S
厂商：VISHAY[Vishay Siliconix]
大小：166.29 Kbytes
页数：共5页
功能：High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
大小：162.33 Kbytes
功能：High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
型号：VB20120S-E3
大小：150.35 Kbytes
功能：High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
大小：161.02 Kbytes
型号：VB20120S-E3/4W
型号：VB20120S-E3/8W
型号：VB20120SG
大小：166.5 Kbytes
功能：High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
大小：160.88 Kbytes
大小：164.09 Kbytes
页数：共6页
型号：VB20120SG-E3
大小：161.39 Kbytes
型号：VB20120SG-E3/4W
大小：162.45 Kbytes
型号：VB20120SG-E3/8W
型号：VB20120SG-E3-4W
型号：VB20120SG-E3-8W
型号：VB20120SG-M3/4W
厂商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
大小：95.42 Kbytes
页数：共4页
功能：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
型号：VB20120SG-M3/8W
型号：VB20120S-M3_15
大小：78.17 Kbytes
