2DB1184Q-13规格参数_2DB1184Q-13全国代理商/分销商

型号: 2DB1184Q-13
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 2.5K BIPOLAR
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 3 A
增益带宽产品fT: 110 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2DB11
直流电流增益 hFE 最大值: 120
高度: 2.4 mm
长度: 6.8 mm
封装: Reel
宽度: 6.2 mm
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 120
Pd-功率耗散: 15000 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 260.400 mg