型号: 2N3583
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-66-2
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 175 V
集电极—基极电压 VCBO: 250 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 5 V
最大直流电集电极电流: 1 A
增益带宽产品fT: 10 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
系列: 2N3583
封装: Tube
商标: Central Semiconductor
集电极连续电流: 1 A
Pd-功率耗散: 35 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
零件号别名: 2N3583 PBFREE
单位重量: 5.840 g
联系人：杨丹妮
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