型号: 2N4125TAR_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
最大直流电集电极电流: 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50 at 2 mA at 1 V
配置: Single
最大工作温度: + 125 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Ammo
集电极连续电流: 0.2 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 625 mW
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