型号: 2N5114UB
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型: P 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）: 30V
漏源电压（Vdss）: 30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 90mA @ 18V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 10V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 25pF @ 15V
电阻 - RDS（开）: 75 Ohms
功率 - 最大值: 500mW
工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-SMD，无引线
供应商器件封装: UB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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