型号: 2N5460_L99Z
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: P 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）: 40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 5mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 750mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7pF @ 15V
功率 - 最大值: 350mW
工作温度: -65°C ~ 135°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
供应商器件封装: TO-92（TO-226）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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