型号: 2N5819
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
最大直流电集电极电流: 0.75 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 150 at 2 mA at 2 V
最大工作频率: 135 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Box
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 625 mW
工厂包装数量: 2000
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